热法与等离子体增强原子层沉积系统-可定制

 

我司ALD可定制，性价比好，包含以下类型：

 

热法单片：8英寸~20英寸 可定制

 

热法粉末：20g（流化床法）~5Kg（滚动法）  可定制

 

等离子体增强原子层沉积系统（可定制）：

 

类型一：电子回旋共振等离子体增强原子层沉积系统

               ECR PEALD- (ECR：Electron Cyclotron Resonance)

电子密度高：10¹⁰~10¹³

电子温度高：可达5~7电子伏特，沉积温度相对更低

工作压强可达10^-2Pa

等离子体带磁场：可达875高斯，带磁场，薄膜沉积纯度好

薄膜致密性好，沉积速率高

较贵，薄膜质量好

 

类型二：微波等离子体增强原子层沉积系统

               MW PEALD (MW: Mirowave)

电子密度高：可达10⁹

电子温度高：可达1~2电子伏特，沉积温度较低

工作压强范围高：10~100Pa，可在较多氩气分子中起辉，减少电子与带电粒子的损伤

薄膜致密性好，沉积速率高

 

类型三：13.56兆赫射频等离子体增强原子层沉积系统

               RF PEALD

电子密度相对低

电子温度相对低

工作压强范围需要较高的真空度，一般要求小于10^-2mbar

 

类型四：20KHz低频等离子体增强原子层沉积系统

适用于聚合物沉积，分子链不容易打断

 

ALD沉积原理：

 

两种反应物蒸汽（前驱体A与B）交替脉冲进入反应器，在基底表面实现自限制的表面化学反应而生成薄膜，每种反应物局限于化学吸附于基底表面的分子，饱和后反应就停止，这使得 ALD 具有自限制生长特征，控制循环数即可，因而薄膜有厚度精确可控、均匀、阶梯覆盖率、保型性、重复性好等优点。

 

目前可沉积的ALD薄膜有：

 

ALD可以制备多种材料的超薄薄膜，比如：

氧化物：氧化铝、氧化铪、氧化硅等                   氮化物：氮化钛、氮化铝等

硫化物：硫化锌、硫化钨、硫化钼等。                 金属：Ru, Pt, Ir, Pd, Cu, Co, Ni, Mo等

有机-无机杂化膜：乙醇铝、聚酰亚胺（聚酰胺）-氧化铝等

 

技术参数：

 

Boinst ALD结构紧凑,布局合理，控制精确，稳定可靠，人机界面友好 操作简便，易于维护, 可客户化。

反应器尺寸：4-8 英寸, 其他更大尺寸可定制，如12、18、20英寸。      反应器温度：室温~400 ^oC

前驱体源：4-6 路液/固源，2-3 路气源  

设备类型：单片ALD、实验室流化床粉末ALD、滚动法公斤级粉末ALD，可定制

利用Boinst ALD 获得的一些薄膜数据：

材料	基片大小	均匀性	材料	基片大小	均匀性
氧化铝	8”	﹤1%	氧化铝	18”	﹤7%

 

设备图片：

8~12英寸设备

 

 

18英寸设备：

18英寸基片：

 

PEALD 设备图片：

 

公斤级粉末ALD:

 

 

 

20g流化床法粉末ALD：

 

 

我司ALD沉积过的薄膜样品薄：