等离子体辅助化学气相沉积系统PECVD-片式与卷对卷式PECVD-定制
PECVD/ R-R PECVD
PECVD, 支持定制，单片或卷对卷式PECVD。
可用于沉积类金刚石、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氮化物、硫化物等类型薄膜。
可用于聚合物薄膜沉积。
可选13.56兆赫、20kHz等离子体。
片式PECVD参数：
真空度10-3Pa，薄膜厚度：10nm-1um，温度范围：400摄氏度，基片大小：6英寸或根据用户要求。设备尺寸：直径350mm，高500mm。
价格35~55万人民币。
卷对卷式PECVD参数：
1分钟100m，1分钟1.5微米厚，1.25m幅宽（可定制），卷厚度8um到50um，可用于食品包装，起阻水阻氧作用。
参考价格500万人民币左右。
阻水氧数据：
