1、怎样进行芯片失效分析？

一般来说，集成电路在研制、生产和使用过程中失效不可避免，随着人们对产品质量和可靠性要求的不断提高，失效分析工作也显得越来越重要，通过芯片失效分析，可以帮助集成电路设计人员找到设计上的缺陷、工艺参数的不匹配或设计与操作中的不当等问题。失效分析的意义主要表现具体来说，失效分析的意义主要表现在以下几个方面： 失效分析是确定芯片失效机理的必要手段。 失效分析为有效的故障诊断提供了必要的信息。 失效分析为设计工程师不断改进或者修复芯片的设计，使之与设计规范更加吻合提供必要的反馈信息。 失效分析可以评估不同测试向量的有效性，为生产测试提供必要的补充，为验证测试流程优化提供必要的信息基础。失效分析主要步骤和内容芯片开封：去除IC封胶，同时保持芯片功能的完整无损，保持 die，bond pads，bond wires乃至lead-frame不受损伤，为下一步芯片失效分析实验做准备。SEM 扫描电镜/EDX成分分析：包括材料结构分析/缺陷观察、元素组成常规微区分析、精确测量元器件尺寸等等。探针测试：以微探针快捷方便地获取IC内部电信号。镭射切割：以微激光束切断线路或芯片上层特定区域。EMMI侦测：EMMI微光显微镜是一种效率极高的失效分错析工具，提供高灵敏度非破坏性的故障定位方式，可侦测和定位非常微弱的发光（可见光及近红外光），由此捕捉各种元件缺陷或异常所产生的漏电流可见光。OBIRCH应用（镭射光束诱发阻抗值变化测试）：OBIRCH常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析，线路漏电路径分析。利用OBIRCH方法，可以有效地对电路中缺陷定位，如线条中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻区等，也能有效的检测短路或漏电,是发光显微技术的有力补充。
LG液晶热点侦测：利用液晶感测到IC漏电处分子排列重组，在显微镜下呈现出不同于其它区域的斑状影像，找寻在实际分析中困扰设计人员的漏电区域（超过10mA之故障点）。
定点/非定点芯片研磨：移除植于液晶驱动芯片 Pad上的金凸块， 保持Pad完好无损，以利后续分析或rebonding。
X-Ray 无损侦测：检测IC封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接，开路、短路或不正常连接的缺陷，封装中的锡球完整性。

我们的集成电路失效分析设备是利用超导法的无损分析，可分析芯片的短路，漏电，开路，并进行精确定位。是一种超导法电故障隔离显微镜。

2、https://www.zhihu.com/question/29417700/answer/52737825

中国集成电路可靠性和失效分析是不是和国外差距很大？

有差距，正如生产工艺的差距。失效分析的很多先进手段都是为了配合新制程研发而发展的。另外，半导体生产对设备要求很高，失效分析也一样～

先说集成电路:
集成电路主要分三块:设计，制造，封测。设计差距不大，制造差距非常大(这个依托于设备及其对应的工艺，以及熟练技工)，封测也差距不大。所以集成电路领域的制造部分才是真正落后(制程工艺设计，过程管控，设备)。这部分差距估计有20年+20万亿元以上？
再说失效分析:
这块主要是分析方法(经验)和设备，对于设备，国内顶尖实验室(第三方以及华为中兴的实验室，还有一些集成电路工厂)已经可以可以达到国际先进水平，差距不大，但是不普及。主要差距是我们对半导体内部制造工艺不熟悉，实践案例也没有人家多，造成判断没把握。这部分的差距总体不大，应该在5年+5k亿吧？

作者：李井冈
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来源：知乎
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